BSO211P參數(shù)：MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：4.7A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：23.9nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：920pF @ 15V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：P-DSO-8
